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紫外负性光刻胶(BN303)
◆用途BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的阴图型光致抗蚀剂，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。◆产品特点Ø涂布性能：在多种基片上均有良好的粘附性Ø感光性
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2022-11-28 |
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负胶表面处理剂
一、用途 用于BN系列产品用SiO2、SiN4、多晶硅、磷、硼等衬底的表面处理。二、主要特征 无色透明液体。其作用是将亲水基片表面转化为疏水表面，以增强胶膜与基片表面的粘附能力。三、理化指标 将待处理的基片放在本
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2022-11-28 |
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负胶去膜剂
一、用途用于去除BN系列产品的胶膜，也可用于其它同类光刻胶膜的去除。 二、主要特征红棕色透明液体，能与水﹑醇等溶剂混溶，有腐蚀性。 三、理化指标将待去胶的片子放在盛有去膜剂的烧杯中，置于水浴之中，在80-90
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2022-11-28 |
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负胶显影剂
一、用途用于BN系列产品的显影，也适用于其它种类负性光刻胶的显影。 二、主要特征无色透明液体，易挥发，能与苯﹑***等混合，不溶于水。 三、理化指标将待显影的硅片放入带有搅拌的显影槽内，晃动显影60-90秒，然后
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2022-11-28 |
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紫外正性光刻(KMP C5308)
◆概述KMP C5308系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线、I线曝光优化，可广泛应用于半导体IC制造领域。◆产品规格Viscosity（粘度）mPa.s9.01.0Trace metals（痕量金属离
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2022-11-28 |
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紫外正性光刻(KMP C5215)
◆概述KMP C5215系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线曝光优化，可广泛应用于半导体IC和LED制造领域。◆产品规格Viscosity（粘度）mPa.s13.01.0Trace metals（痕量金属离
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2022-11-28 |
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紫外正性光刻(KMP C5315)
◆概述KMP C5315系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线、I线曝光优化，可广泛应用于半导体IC制造领域。◆产品规格Viscosity（粘度）mPa.s14.01.0Trace metals（痕量金属离
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2022-11-28 |
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紫外正性光刻(KMP C7310)
◆概述KMP C7310系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为I线曝光优化，可广泛应用于0.5m以上分辨的集成电路制造及相关半导体制造领域。◆产品规格Viscosity（粘度）mPa.s9.51.0
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2022-11-28 |
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