◆ 概述
KMP C7310系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为I线曝光优化，可广泛应用于0.5μm以上分辨的集成电路制造及相关半导体制造领域。
◆ 产品规格| Viscosity（粘度） | mPa.s | 9.5±1.0 |
| Trace metals（痕量金属离子） | ppb | Ca、Cr、Fe≤30； Cu、Ni、K、Na、Pb、Zn≤20 |
| Particles（颗粒，≥0.3μm） | cts/ml | ≤20 |
| Water（水分） | % | ≤0.5 |
| Prime（预处理） | HMDS，100℃，40s |
| Soft Bake（前烘） | 90℃，60s |
| Exposure（曝光） | I-line |
| Post Exposure Bake（中烘） | 115℃，60s |
| Develop（显影） | 23℃，60s，Puddle |
| Hard Bake（后烘） | 110℃，60s |
