制备方式 CZ
导电类型 P 型
掺杂剂 硼
晶向 <100>
晶向偏离度 ＜±2°
电阻率范围 1~3Ω·cm
少数载流子寿命 ≥8us
氧含量 ≤ 20ppm
碳含量 ≤ 1ppm
硅片尺寸 125×125±0.5mm;156×156±0.5mm
硅片直径 150±0.5mm;200±0.5mm
倒角宽度 (150;165) 29.76±1.0mm;12.23±1.0mm
厚度 200±20μm
总厚度变化 ≤30μm
线痕 ≤15μm
翘曲度 ≤30μm
崩边 无
外观 清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞
