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6英寸单晶硅片(6寸准方硅片)
6英寸单晶硅片生产方法 线锯切割 导电类型 P /N型型号掺杂 P/N型掺硼、镓/磷 晶向偏差 ＜100＞1位错 无 电阻率 1~3Ω.cm直径 1500.5mm 边宽 1250.5mm片厚 20020m等 TTV 20m翘曲度 40m 线痕 15m氧含量 1.01018 a
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2022-12-05 |
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8寸多晶硅准方棒
生产方法 定向凝固法 导电类型 P 型型号掺杂 P/N型掺硼/磷 电阻率 0.5~3Ω.cm，3~6Ω.cm纯度 6N 少子寿命 2s直径 2000.3 mm 横截面边长 1560.5mm碳含量 5.01017 四边垂直度 900.3氧含量 1.01018 外观 光滑
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2022-11-28 |
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6寸单晶硅准方棒
生产方法 柴氏法CZ、 导电类型 P 型型号掺杂 P/N型掺硼/磷 晶向偏差 ＜100＞3纯度 6N 位错
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2022-11-28 |
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6.5英寸单晶硅片
生产方法 线锯切割 导电类型 P /N型型号掺杂 P/N型掺硼、镓/磷 晶向偏差 ＜100＞1位错 无 电阻率 1~3Ω.cm直径 1650.5mm 边宽 1250.5mm片厚 20020m等 TTV 20m翘曲度 40m 线痕 15m氧含量 1.01018 atom/cm3 体少
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2022-11-28 |
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8英寸单晶硅片
生产方法 线锯切割 导电类型 P /N型型号掺杂 P/N型掺硼、镓/磷 晶向偏差 ＜100＞1位错 无 电阻率 1~3Ω.cm，3~6Ω.cm直径 2000.5mm 边宽 1560.5mm片厚 20020m等 TTV 20m翘曲度 40m 线痕 15m氧含量 1.01018
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2022-11-28 |
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准方硅片(156×156(mm))
型号 156156(mm) 125125(mm)生长方法 柴氏法CZ 柴氏法CZ型号掺杂 P/N型掺硼/磷 P/N型掺硼/磷晶向偏差 2 2氧含量 1.01018 atoms/cm31.01018 atoms/cm3碳含量 5.01016 atoms/cm3 5.01016 atoms/cm3少子寿命 ＞10
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2022-11-28 |
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300瓦单晶光伏组件(TBEA4300)
电性能参数 TBEA4300峰值功率(Pmax) 300W***佳工作电压(Vmp) 36.4V***佳工作电流(Imp) 8.3A短路电流(Isc) 8.7A开路电压(Voc) 44.8V短路电流温度系数 (0.0650.015)%/C开路电压温度系数 -(0.360.05)mV/C***大功率温度
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2022-11-25 |
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270-280瓦多晶光伏组件(TBEA3280 TBEA3275)
电性能参数 TBEA3280 TBEA3275 TBEA3270峰值功率(Pmax) 280W 275W 270W***佳工作电压(Vmp) 36.3V 35.6V 35.5V***佳工作电流(Imp) 7.71A 7.7A 7.61A短路电流(Isc) 8.46A 8.45A 8.33A开路电压(Voc) 44.3V 44.3V 44.2V
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2022-11-25 |
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