生产方法 柴氏法CZ、 导电类型 P 型
型号掺杂 P/N型掺硼/磷 晶向偏差 ＜100＞±3°
纯度 6N 位错 <100/cm2
直径 150±0.3 mm 少子寿命 ≥10μs
氧含量 ≤1.0×1018 横截面边长 125±0.5mm
碳含量 ≤5.0×1016 四边垂直度 90±0.3°
电阻率 0.5~3Ω.cm，3~6Ω.cm 外观 无裂纹、无孪晶
6寸单晶硅准方棒
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6寸单晶硅准方棒
详细信息 生产方法 柴氏法CZ、 导电类型 P 型 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 晶向偏差 ＜100＞±3° 纯度 6N 位错 <100/cm2 直径 150±0.3 mm 少子寿命 ≥10μs 氧含量 ≤1.0×1018 横截面边长 125±0.5mm 碳含量 ≤5.0×1016 四边垂直度 90±0.3° 电阻率 0.5~3Ω.cm，3~6Ω.cm 外观 无裂纹、无孪晶 |
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