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低温多晶硅的工作原理是什么?
低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源,雷射光经过投射系统後,会产生能量均匀分布的雷射光束,投射于非晶矽结构的玻璃基板上,当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后,会转变成为多晶硅结构,因整个处理过程都是在600℃以下完成,所以一般玻璃基板皆可适用。
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电池片工艺流程 制绒(INTE)--扩散(1DIF)---后清洗(刻边/去PSG)----镀减反射膜PECVD----丝网、烧结。(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORER----包装(PACKING)。
1、制绒
制绒的目的是在硅片表面形成绒面面,以减少电池片的反射率,绒面凹凸不平可以增加二次反射,改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶,可以得到金字塔状绒面;用酸处理多晶,可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。
工艺流程:制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。
一般情况下,硅与HF、HNO3(硅表面会被钝化)认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中,硅与混合溶液的反应是持续性的。
六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体SiH4和NH3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石,它是先通过拉单晶制作成硅棒,然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4,序数适中,所以硅元素具有特殊的物理化学性质,可用在化工、光伏、芯片等领域。特别是在芯片领域,正式硅元素的半导体特性,使其成为了芯片的基石。在光伏领域,可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%,开采较为方便,可回收性强,所以价格低廉,进-步增强了硅的应用范围。