电容电压（C-V）特性测试仪(KCV-300)

KCV-300型电容电压（C-V）特性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器。专用于测量半导体器件PN结势垒在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。

仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分辨到0.001pF，偏置电压分辨率为0.01V，漏电流***小分辨率为0.01μA或0.1μA（可选）。

该测试仪器性能稳定可靠，功能齐全，精度高，操作简单，适用于元件生产厂家，科研部门，高等院校等单位。

CV法利用PN结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性，可以获得材料中杂质浓度及其分布的信息，这类测量成为C-V测量技术。这种测量可以提供材料横截面均匀性及纵向杂质浓度分布的信息。

组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应（势垒电容），加正向偏压时，PN结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压是，PN结势垒区变宽，势垒电容变小。

该仪器采用电流电压测量方法，它用微处理器通过8 次电压测量来计算每次测量后要求的参数值。用一个相敏检波器和模数转换器顺序快速完成电压测量。正交测量通过交换测量信号的相位来进行，而不是参考相位检测。因而不需要精密的模拟相位转换成电压矩形波电路。通过从同一个高频信号源形成测试信号和参考信号，来保证正确的相位关系。由微处理器根据已知的频率和测试信号相位，用ROM 存储器内的程序和所存储的按键选择来控制测量顺序，以及存储在RAM 中的校准数据来计算被测元件数值。

主要技术指标如下：

测试信号频率：1.000MHz±0.01%

测试信号电压：≤100mVrms

测量速率：慢3次/秒，快5次/秒

电容测量范围：0.001pF～10000 pF

漏电流：0.01-19.99μA或0.1-199.9μA（可选）

直流偏压：自带偏压0.01～35V，分辨率：0.01V；可外接偏压源拓展，***大偏压输入为100V

工作误差：≤±3% ±5.0%±2字

预热时间：30min

供电电源：AC220V±10%，频率50Hz±5%

消耗功率：≤40W

 工作环境：温度：0-40℃， 湿度：≤65%