江苏英思特半导体科技有限公司

 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。