KDB-3双组合测试仪是根据国际标准SEMI MF1529设计，双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。在本测试方法中，在测试样品的每个测量位置上，以两种不同的方式（配置）将探针连接到提供电流和测量电压的电路中。四探针的这种使用法通常被称为“双配置”或“配置切换”测量。单组合四探针相比，用较小间距的探针头就可以进行高精度的测量，从而可获得更高的晶片薄层电阻变化的空间分辨率。
仪器特点如下：
1、配有双数字表：一块数字表在测量显示硅片电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更简便，测量更精确。数字电压表量程：0—199.99mV 灵敏度：10μV 输入阻抗：1000ΜΩ 基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度)2、可测电阻率范围：10—4 —1.9×104Ω·cm。 可测方块电阻范围：10—3 —1.9×105Ω/□。3、设有电压表自动复零功能，当四探针头1、4探针间未有测量电流流过时，电压表指零，只有1、4探针接触到硅片，测量电流渡过单晶时，电压表才指示2、3探针间的电压（即电阻率）值；同样，当四探针头1、3探针间未有测量电流流过时，电压表指零，只有1、3探针接触到硅片，测量电流渡过单晶时，电压表才指示2、4探针间的电压（即电阻率）值，避免空间杂散电波对测量的干扰。4、流经硅片的测量电流由高度稳定（万分之五精度）的特制恒流源提供，不受气候条件的影响，整机测量精度＜3%。电流量程分五档：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。5、仪器采用触点电阻更低（＜5mΩ）、使用寿命更长的转换开头及继电器（＞10万次），在绝缘电阻、电流容量方面留有更大的安全系数，提高了测试仪的可靠性和使用寿命。6、可选配专用软件进行数据采集,可进行双组合或单组合测量，实现自动切换电压档位、读取相应电压值，根据不同方法计算电阻率或方块电阻值；软件可对测量数据进行分析，如平均值，***大值、***小值、***大百分变化率、平均百分变化率、径向不均匀度等内容。7、可配KDDJ-3电动测试架，自动上下运行，使测量更方便快捷。8、四探针头采用国际上先进的红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性提高（国家知识产权局已于2005.02.02授予专利权，专利号：ZL03274755.1）。
专用测量软件界面如下图所示：
