1、仪器采用GB/T1553-1997中硅单晶少数载流子寿命测定高频光电导衰减法；
2、测试硅单晶电阻率范围：ρ﹥2Ω·㎝，测电子级参杂硅单晶片（厚度小于1mm）电阻率范围：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需抛光处理）；3、可测材料：硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、硅块、硅片等；4、可测单晶少子寿命τ范围：5μs~10000μs；5、红外光源配置：波长1.06～1.09μm，红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm。光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ脉冲电流：5A～20A ；6、高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ；7、前置放大器，放大倍数约25，频宽2HZ-2MHZ；8、高频电极采用铟与样品接触，铟可以减小半导体材料与金属电极间的接触电阻的优良材料而且有良好的抗腐蚀性能；9、仪器测量重复误差：﹤±25%；10、显示方式：本仪器配置数字存储示波器，模拟带宽50MHz，***大实时采样率1GSa/S，垂直灵敏度2mv-5v/div，扫描范围：2.5ns—50s/div；11、仪器消耗功率：﹤50W；12、仪器工作条件：温度：10-35℃，湿度﹤65% 使用电源：AC 220V，50HZ（稳压电源）；13、可测单晶尺寸： 断面竖测：直径25mm-150mm；厚度2mm-500mm 纵向卧测：直径5mm-20mm；长度50mm-800mm。
