中电电气(南京)太阳能研究院有限公司

太阳能级硅单晶片

型号 P N

掺杂 硼 磷

尺寸 125*125±0.5mm 156*156±0.5mm

厚度 180±20 200±20 or220±20 or 240±20μm

电阻率 0.5~3Ω.cm   3~6Ω.cm

少子寿命 >10μs(20)

晶向 <100>±3°

切割方式 多线切割

总厚度变化 <30μm

垂直度 90°±0.5°

位错密度 ≤3000 at/ cm2

氧含量 ≤1.0*1018at/ cm3

碳含量 ≤5.0*1016 at/ cm3