■ 产品用途
该设备是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生挥发性物质进行刻蚀的。该设备特别适合于目前太阳能电池片生产中的电池周边掺杂硅的刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。
■ 技术指标
◆ 适用加工硅片尺寸：125mmX125mm;156mmX156mm
◆ 反应室极限真空度：优于 2Pa
◆ 射频电源：频率：13.56MHz; 功率：小于 1000W
◆ 温度要求：5~38℃
◆ 湿度要求：80%
◆ 电源电压：三相 380V±10%，50Hz; 单相 220V±10%，50Hz
◆ 操作控制回路：DC24V ; SOL：AC100V
◆ 额定放片量: 200-500 片/批
◆ 进出料方式: 手动
◆ 控制方式: 以触摸屏为人机界面，PLC 自动控制工艺过程
◆ 刻蚀工作周期：＜23Min
