设备概况：
JQ-800区熔单晶炉是在真空惰性气体环境下利用悬浮区熔技术在悬浮区熔区对硅材料进行提纯和单晶硅生长的设备，通过计算机实现半自动控制来提高和进行区熔单晶的生长，用于工业生产无污染、高电阻、高寿命、高提纯的半导体材料，生长直径为：Φ80-200mm.
区熔炉(JQ-800)
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区熔炉(JQ-800)
详细信息 设备概况： JQ-800区熔单晶炉是在真空惰性气体环境下利用悬浮区熔技术在悬浮区熔区对硅材料进行提纯和单晶硅生长的设备，通过计算机实现半自动控制来提高和进行区熔单晶的生长，用于工业生产无污染、高电阻、高寿命、高提纯的半导体材料，生长直径为：Φ80-200mm. |
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