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[新品] LED辅助特种气体
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最后更新: 2022-12-09 10:35
 
详细信息

半导体工业用气体品种多、质量要求高、用量少,大部分是有毒或腐蚀性气体。品种高达百余种。半导体工业特种气体按照应用分类,主要包括:

(1)硅族气体:含硅基的硅烷类,如硅烷(SiH4)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)、乙硅烷(Si2H6)等。

(2)掺杂气体:含硼、磷、砷等三族及五族原子之气体,如三氯化硼(BCl3)、三氟化硼(BF3)、磷烷(PH3)、砷烷(AsH3)等。

(3)蚀刻清洗气体:以含卤素的卤化物及卤碳化合物为主,如氯气(Cl2)、三氟化氮(NF3)、溴化氢(HBr)、四氟化碳(CF4)、六氟乙烷(Cvalue="2" tcsc="0" unitname="F" w:st="on">2F6)等。

(4)反应气体:以碳系及氮系氧化物为主,如二氧化碳(CO2)、氨(NH3)、氧化亚氮(N2O)等。

(5)金属气相沉积气体:含卤化金属及有机烷类金属,如六氟化钨(WF6)、三甲基镓(Ga(CH3)3)等。

在LED产业链中,外延技术、设备和材料是外延片制造技术的关键。实践证明,MOCVD是适合生长外延片的良好技术,也是一种工业化的实用技术。当前,MOCVD工艺已成为制造绝大多数光电子材料的基本技术。外延技术需要的超纯特种气体包括高纯砷烷、高纯磷烷、高纯氨气,砷化镓生产中应用硅烷N型掺杂,而氯化氢和氯气常常用做蚀刻气,氩、氢、氮则是必须的载气。同时外延生长需要的有机源主要是三甲基镓,三甲基铟,三甲基铝,二乙基锌,二甲基锌,二茂镁等。现有技术的发展对这些产品的品质要求也越来越高。

在半导体化合物生长过程中,除了纯特种气体之外,还需要部分混合气体,主要包括SiH4/H2。SiH4/ N2作为成膜源用量尽管不大,但是对产品质量要求极高,配制混合气体的露点达到value="95" tcsc="0" unitname="℃" w:st="on">-95℃以下,只有这样才可以保证外延片生长的成品率。

化合物半导体产业的扩展,带动原材料市场的迅速提升,包括晶圆、衬底、蚀刻剂、过程气体、有机金属化合物、测试和包装材料等的需求每年以大约21%的比例递增,而过程气体(砷烷、磷烷、氨气、氩、氢、氮、氯化氢、氯气等)占整体原料的消耗8%,金属有机化合物占8%。本司专业供应LED行业中用到的气体:硅烷(SiH4)、磷烷、氨气、氩、氢、氮、氯化氢、氯气、)、四氟化碳(CF4)、六氟乙烷(Cvalue="2" tcsc="0" unitname="F" w:st="on">2F6)等欢迎来电咨询

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