品名 | 单晶娃片 |
导电类型 | P型 |
硅片正方尺寸（mm） | 156x156±0.5 |
硅片对角线(mm） | 195±0.5；200±0.5 |
硅片厚度（中心值）（μm） | 180±20；200±20 |
总厚度变化（μm） | ≤30 |
电阻率范围（Ωcm） | 0.8-3.0；3.0-6.0 |
掺杂元素 | 硼 |
碳含量（原子/立方厘米） | ≤2.5×1017 |
氧含量（原子/立方厘米） | ≤1x1018 |
少数载流子寿命（μs) | ≥10 |
表面质量 | 无裂纹、缺口、缺角、穿孔、亮点 |
翘曲度（warp/μm） | ≤50 |
邻变垂直度 | 90°±0.5 ° |
崩边（mm） | 弦长＜1.0；深度＜0.5；每片不多于2个 |
线痕（μm） | ≤15 |
单晶硅片(156X156mm)
