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化电路板包括电路板主体、电子元件及连接部，电路板主体与连接部相连，连接部表面设有金属薄片，金属薄片上设有金属点，电路板主体背部设有加强板，电路板主体内部设有铜锡层。该电路板化性强，且利用金属点来与外部电子元件电连接，因此不必担心金属薄片氧化的问题，同时还可根据实际情况选择电路板的薄厚程度，灵活实用，另外化电路板还实现了把铜锡层设置在基材内部，使其方便连接电容。
随着电子科技的不断进步，大部分电子产品均包含有电路板，其上设置有许多电子零件，回收客退实验电池片硅片回收，用以达成电子控制功能。但是目前所使用的电路板在化及灵活运用上有所欠缺，同时不能更好的与外部电子元件进行接触，另外没有实现将电容设置在电路板主体内部的功能。因此，需要对现有的电路板做出相应的改进，相信通过这样的改进后，能更好的满足使用者的需求。
2、多晶硅电池片
多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。目前太阳能电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆?厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，加入适量硼硅，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材制利用率和方便组装。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，其光电转换效率约12％左右，稍低于单晶硅太阳能电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。
4、PECVD
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。
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