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企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
4， 焰熔法晶块料。
晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法Verneuil进行生产，经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下，当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
晶块料是白色半透明状的，国内现在很多人士尤其是迷恋它，看上去透明无色以为纯度很高，其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。
生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体，不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度，Fe,Ti,Cr，Mg等元素的熔化温度已经在2200度左右，这些技术杂质气化温度要到达4000度以上，这些金属杂质或者金属氧化物2050度根本不会气化，他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质，如镁，钙等，但对里层的杂质毫无作用。
市场变化趋势：
1.LED芯片4英寸以上的替代率快速提升，国内三安新增MOCVD机型及对现有的2英寸机台升级，国外如三星等芯片厂开始6英寸的批量生产，4英寸单位成本相对于2英寸的优势更加凸显。有理由相信今年对于晶体的考核指标在LED都将折算成4英寸，这就要求大容量单晶炉的开发能尽快跟上。
2.蓝宝石的成本究竟在哪里？很多客户比较关注的是晶棒的市场价格走势，在不考虑电价和补贴的情况下，决定其真正成本的不外乎就是以下三点：设备可使用率及晶体良率、单位能耗、主要热场部件的使用寿命和成本。
按硅片直径划分：
硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已发展到18英寸（450mm）等规格。直径越大，在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多，每个芯片的成本也就越低。因此，更大直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大，对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。
按单晶生长方法划分：
直拉法制各的单晶硅，称为CZ硅（片）;磁控直拉法制各的单晶硅，称为MCZ硅（片）;悬浮区熔法制各的单晶硅，称为FZ硅（片）;用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层，称为外延（硅片）。
