类型 P
掺杂剂 Boron
规格 125*125 ± 0.5mm, 156*156 ± 0.5mm
厚度 200 ± 20 µ m
电阻率 1~3 Ω .cm 3~6 Ω .cm
少子寿命 ≥ 10 µ s
晶向 <100> ± 3°
切割方式 Multiple wire cut
TTV ≤ 20 µ m
垂直度 90° ± 0.5°
位错密度 ≤3000cm-2
氧含量 ≤1.0*1018 cm-3
碳含量 ≤5.0*1016 cm-3
硅片
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硅片
详细信息 类型 P 掺杂剂 Boron 规格 125*125 ± 0.5mm, 156*156 ± 0.5mm 厚度 200 ± 20 µ m 电阻率 1~3 Ω .cm 3~6 Ω .cm 少子寿命 ≥ 10 µ s 晶向 <100> ± 3° 切割方式 Multiple wire cut TTV ≤ 20 µ m 垂直度 90° ± 0.5° 位错密度 ≤3000cm-2 氧含量 ≤1.0*1018 cm-3 碳含量 ≤5.0*1016 cm-3 |
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