北京羲和阳光科技发展有限公司

■ 准稳态光电导法（QSSPC）
■ 非接触式少子寿命测量
■ 可测单晶多晶硅片少子寿命，电阻率， 陷阱密度，发射极饱和电流密度，和隐含电压
■ 检测晶片加工过程中重金属污染
■ 测量范围：0.1μs~大于10ms 
■ 可用频谱：白光和红外照明
■ 传感器领域：40毫米（直径）
■ 样本标准直径：40–210 mm （尺寸较小，也可测量）
■ 硅片厚度范围：10–2000 μm （其他厚度可衡量）
■ 仪器尺寸：22.5 cm W x 28 cm D x 57 cm H

延伸阅读

准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较 

QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行***测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。

MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。